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【资料图】
1.原理:当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。
2.原理:在半导体上外加与电流方向垂直的磁场,会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集,在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场。
3.霍尔效应的原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
4.霍尔效应:是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔于1879年在研究金属的导电机制时发现的。
5.霍尔效应的原理,中就有:霍尔效应在1879年被物理学家霍尔发现:当电流通过一个位于磁场中的导体的时候,磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的的作用力,从而在导体的两端产生电势差。
1.当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应。
2.在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势UH(称为霍尔电势电压),这种现象称为霍尔效应 。霍尔电动势的大小正比于控制电流和磁感应强度。
3.霍尔电势和半导体材质、霍尔元件的偏置电流、半导体材料的厚度、磁感应强度有关。霍尔器件是一种利用霍尔效应的固态电子器件。
4.当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。
5.霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
霍尔效应是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场EH。
霍尔效应是指当导体中有电流通过时,垂直于电流方向的磁场作用下,产生一种电势差现象,该现象被称为霍尔效应。这种电势差称为霍尔电压,其大小与磁场的强度及电流的大小成正比,与导体材料的特性有关。
霍尔效应是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年发现电磁效应的一种。
霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应。
这就是霍尔效应。利用左手定则,可以判断载流子(q0,正电荷)所受洛伦兹力f的方向是与纸面平行向上,即运动向上;载流子(q0,负电荷)所受洛伦兹力f的方向是与纸面平行向下,即运动向下。
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